姚裕贵
作者: Litskevich, Maksim1; Hossain, Shafayat1; Zhang, Songbo3; Cheng, Zi-Jia1; Guin, Satya N.2; Kumar, Nitesh2; Shekhar, Chandra2; Wang, Zhiwei4, 5; Li, Yongkai4, 5; Chang, Guoqing6; Yin, Jia-Xin1; Zhang, Qi1; Cheng, Guangming7; Jiang, Yu-Xiao1; Cochran, Tyler A.1; Shumiya, Nana1; Yang, Xian P.1; Multer, Daniel1; Liu, Xiaoxiong3; Yao, Nan7; Yao, Yugui4, 5; Felser, Claudia2; Neupert, Titus3; Hasan, M. Zahid1, 8 (1Laboratory for Topological Quantum Matter and Advanced Spectroscopy (B7), Department of Physics, Princeton University, Princeton; NJ, United States;2Department of Physics, University of Zurich, Winterthurerstrasse, Zurich, Switzerland;3Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, 16 Nöthnitzer Straße 40, Dresden; 01187, Germany;4Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing; 100081, China;5Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing; 100190, China;6Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore;7Princeton Institute for Science and Technology of Materials, Princeton University, Princeton; NJ, United States;8Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley; CA; 94720, United States)
出处: arXiv 2024
作者: Hu, Jin-Xin1; Zeng, Chuanchang2; Yao, Yugui3, 4 (1Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore; 637371, Singapore;2Beijing Academy of Quantum Information Sciences, Beijing; 100193, China;3Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement(MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing; 100081, China;4Beijing Key Lab of Nanophotonics & Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing; 100081, China)
出处: arXiv 2024
发明人: 王秩伟,刘锦锦,姚裕贵
申请人: 北京理工大学
申请号: 202310974832.2
申请日期: 2023.08.04
摘要: 本发明涉及一种反铁磁拓扑半金属材料EuSb2单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。所述单晶的晶胞参数为:a=4.7680Å,b=4.2990Å,c=8.97Å,α=γ=90°,β=103.01°。采用助熔剂法,选用的是Tl‑Sn作助熔剂,Tl和Sn元素的加入有助于使所述单晶中 ...
发明人: 王秩伟,吴黄宇,杨莹,胡金国,姚裕贵
申请人: 北京理工大学,晶工新材料(扬中)有限公司
申请号: 202311039562.2
申请日期: 2023.08.17
摘要:
本发明涉及一种Kagome格子材料Pt2TlTe3单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。所述单晶结构为:P‑3m1空间群,a=8.069Å,b=8.069Å,c=6.061Å,α=90°,β=90°,γ=120°。Pt2TlTe
发明人: 王秩伟,吴黄宇,刘锦锦,李永恺,胡金国,姚裕贵
申请人: 北京理工大学,晶工新材料(扬中)有限公司
申请号: 202311039448.X
申请日期: 2023.08.17
摘要: 本发明涉及Kagome材料RMn6Sn6单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。R为Zr或Hf,其中,ZrMn6Sn6的单晶结构为:P6/mmm空间群,a=5.410Å,b=5.410Å,c=8.982Å,α=9 ...
发明人: 刘瑞斌,张颖,夏敏,李安,杨威,姚裕贵,杨帆致,郭伟,甘强,柳彦博,张新宇,任耶平,钟林
申请人: 北京理工大学
申请号: 202310728819.9
申请日期: 2023.06.19
摘要: 本发明涉及一种基于X射线对火炸药的性能和感度快速调控的方法,属于火炸药性能和感度调控领域。对火炸药进行不同时间的X射线辐照,使火炸药的化学键发生不同程度的断裂,从而导致火炸药内部结构或分子形式发生变化,在特定条件下诱导火炸药性能和感度快速变化。利用扫描电子显微镜(SEM),拉曼光谱(Raman Sp ...
发明人: 刘瑞斌,张颖,张新宇,李安,姚裕贵,夏敏
申请人: 北京理工大学
申请号: 202310729470.0
申请日期: 2023.06.19
摘要: 本发明涉及一种基于CO2激光辐照对火炸药感度快速调控的方法,属于火炸药的感度调控领域。利用CO2激光对火炸药进行不同时间的辐照,使火炸药的化学键发生不同程度的断裂,从而导致内部结构或分子形式发生变化,在特定条件下诱导火炸药感度快速变化。利用拉曼光谱,X射线 ...
发明人: 刘瑞斌,孙浩瀚,殷允嵩,李安,姚裕贵,钟李祥
申请人: 北京理工大学
申请号: 202310656183.1
申请日期: 2023.06.05
摘要: 本发明公开的一种激光加载含能材料爆速快速预测方法及系统,属于含能材料爆轰性能检测领域。本发明使用脉冲激光与含能材料相互作用产生冲击波,利用单点的APD探测器通过记录并存储APD的电压变化,得到冲击波经过探测光束时的衰减信号,提取脉冲信号与距离含能材料表面不同高度各衰减峰之间的间隔时间;通过修正后的点 ...
发明人: 王秩伟,刘锦锦,姚裕贵
申请人: 北京理工大学
申请号: 202310975190.8
申请日期: 2023.08.04
摘要: 本发明涉及一种反铁磁拓扑半金属材料Eu5In2Bi6单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。所述单晶为正交相结构,属于Zintl相,晶胞参数为:a=7.735Å,b=23.96Å,c=4.686Å,α=β=γ=90°。采用的是以In为 ...
发明人: 王秩伟,杨柳,李永恺,刘锦锦,姚裕贵,胡金国
申请人: 北京理工大学,晶工新材料(扬中)有限公司
申请号: 202311039325.6
申请日期: 2023.08.17
摘要: 本发明涉及一种层状反铁磁材料Mn1.83Bi1.17Te4单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。所述单晶的结构为:空间群为R m,a=4.22Å、b=4.22Å、c=40.48Å。Mn1.83Bi1. ...