作者：郭鹏飞

学位名称：硕士

出处：北京理工大学理学院 2014

关键词：过渡金属元素；ZnSe；纳米结构；光学性质

摘要：ZnSe 是一种重要的二六族直接带隙半导体材料，具有较大的禁带宽度和激子束缚能。 但由于纯 ZnSe 材料的发射光的波长固定，不能作为一种有效的可调谐的光源，而且本身量的结构缺陷导致的近带边发光微弱。 掺杂过渡金属或稀土金属可形成稀磁半导体材料，稀磁半导体的晶格常数和禁带宽度会随着掺入离子浓度的不同 ...

作者：李亚美

学位名称：硕士

出处：北京理工大学 2011

关键词：ZnSe；过渡金属掺杂；纳米材料；光致发光

作者：刘慧娟

学位名称：硕士

出处：北京理工大学 2011

关键词：ZnSe；Type-II；电化学循环伏安法；能级参数；尺寸依赖性

作者：赵辉

学位名称：硕士

出处：北京理工大学 2011

关键词：纳米线；半导体；核壳结构；合金；光致发光

作者：张春花

学位名称：硕士

出处：北京理工大学 2011

关键词：硫化镉；化学气相沉积；微/纳米线阵列；光学性质

作者：韩登宝

学位名称：硕士

出处：北京理工大学

作者：陈冰昆

学位名称：博士

出处：北京理工大学

作者：白宪伟

学位名称：博士

出处：北京理工大学

作者：Farooq Muhammad Umair

学位名称：博士

出处：北京理工大学

作者：Abdalla Adam

学位名称：博士

出处：北京理工大学