作者：徐乾坤

学位名称：硕士

出处：北京理工大学物理学院 2016

关键词：硫化镉；二硫化钼；化学气相沉积；半导体；光学性质

摘要：二硫化钼晶体为六方晶系，带隙为1.29eV的间接带隙半导体。单层二硫化钼就有类石墨烯结构，成为带隙为1.90eV直接带隙半导体。类石墨烯二硫化钼以其二维层状夹心结构和特殊的能带结构，在光电器件领域具有很大的应用前景。为进一步了解单层二硫化钼与一维其它纳米结构复合产生的物性调控。本文主要围绕二硫化钼和 ...

作者：杨高岭

学位名称：博士

出处：北京理工大学 2015

关键词：半导体纳米线；溶液法；掺杂；合金；发光机制；SLS

摘要：自二十世纪八十年代以来,纳米科学逐渐发展成为一门跨领域、多学科交叉的前沿学科。作为一类经典的纳米材料体系,半导体纳米线因其一维结构所带来的独特偏振光学特性、低激光激发阈值、增强的压电特性等性质,一直倍受关注。半导体纳米线的制备方法可简单的分为气相法和液相法,与气相制备法相比,溶液法制备的半导体纳米线 ...

作者：李劲

学位名称：博士

出处：北京理工大学材料学院 2015

关键词：多元硫族半导体；纳米线；纳米晶；纳米光子学；光电性质；太阳能电池

摘要：光电材料是人们解决新信息技术和能源技术的重要基础,传统二元材料的基本特性和应用范围都已经有了全面而深入的研究,开拓新的多元材料及其应用实乃拓展相关技术进步的当务之急。融合了纳米技术与光子学的纳米光子学学科,主要解决在与光波长相当或亚波长尺度上光与物质的相互作用的根本原理,其在物理学、化学、工程学、生 ...

作者：杨丹

学位名称：博士

出处：北京理工大学物理学院 2015

关键词：纳米复合薄膜；光电探测器；有机场效应晶体管；并五苯；量子点；聚3-己基噻吩(P3HT)；“明/暗”电流比；响应度

摘要：为适应信息社会的高速发展,光电子器件作为光通讯技术的核心正趋于“小型化”、“集成化”。在纳米科技的推动下,具有新奇特性的纳米结构和先进的纳米加工工艺被引入到光电子器件的研究和应用中以加速其发展,同时纳米光子学的出现进一步扩大了光电子技术的物理深度和应用范围。纳米复合薄膜光电探测器作为纳米结构光电子器 ...

作者：王晓旭

学位名称：博士

出处：北京理工大学材料学院 2015

关键词：宽禁带半导体；掺杂；合成；光学性质；应用

摘要：宽禁带半导体材料作为第三代半导体材料，其具有较大的禁带宽度（禁带宽度一般大于或等于2.3eV）、小介电常数、辐射能力强和高的电子迁移率，常用作紫光、蓝光、绿光和白光的发光二极管和高频、大功率、耐高温、抗辐射器件的理想材料。掺杂特定离子在宽禁带半导体中可以对材料进行改性，调制材料的光学、电学和磁性性质 ...

作者：董广大

学位名称：博士

出处：北京理工大学材料学院 2015

关键词：光学微腔；模式剪裁；群延迟；多带滤波器

摘要：光学微腔在微纳光子器件中有重要应用，是集成光学和全光通信的重要基础。以光学微腔为主要结构的微纳系统，已经引起了人们的广泛兴趣，特别是其中的模式耦合特性以及光调控机理研究。本文分别研究了光学微腔与光栅以及与波导的耦合结构中的光子行为，探讨了其物理性质及可能应用。本文主要工作如下：(1)分分别别把把金金 ...

作者：张文圣

学位名称：硕士

出处：北京理工大学物理学院 2015

关键词：硫化镉纳米线；超晶格；光学性质；超长碳线；合成

摘要：CdS具有较好的光学特性与优异的光电转换特性，在光电器件领域具有重要的应用价值。本文通过化学气相沉积法合成了基于Sn元素的CdS超晶格纳米线，并采用元素mapping与EDS能谱分析，表明我们所生成的纳米线是由外层CdS壳层与内层间断性分布的Sn段组成的一种具有超晶格结构的纳米线。为了研究这种纳米线 ...

作者：卡姆龙

学位名称：博士

出处：北京理工大学 2014

关键词：CdS；半导体；过渡金属；VLS；光学性质；磁性

摘要：CdS是一类非常重要的II-VI半导体材料,由于其独特的性质可在太阳能电池、发光二极管、纳米激光、场效应晶体管、光电探测器、气体传感器、光开关等方面有重要应用。近期还发现硫化镉在稀磁半导体中也有非常显著的价值，尽管研究工作还不多。本文中,我用简单的CVD方法制备出来CdS和过渡金属离子(Mn(II) ...

作者：牛玉玮

学位名称：硕士

出处：北京理工大学材料学院 2014

关键词：有机-无机杂化钙钛矿材料；激子发光；自组装；量子阱；荧光探针

摘要：有机-无机杂化钙钛矿材料拥有天然的量子阱结构，激子束缚能较大，在室温下即可表现出激子发光，利用其结构和组分的灵活性，通过对有机-无机杂化钙钛矿的组分进行设计，可调控有机-无机杂化钙钛矿材料的激子发光性质。本论文开展了二维有机-无机杂化钙钛矿材料的合成与激子发光性质的研究。通过再沉淀法制备有机-无机杂 ...

作者：王恺

学位名称：硕士

出处：北京理工大学理学院 2014

关键词：氧化锌；过渡金属；掺杂；纳米线；拉曼；光致发光；声子振动模式

摘要：ZnO是重要的II-VI族半导体材料，具有较大的禁带宽度和激子束缚能，是实现紫外光电器件、发光二极管以及激光器的最具潜力的半导体材料之一。近几年来，过渡金属掺杂的ZnO成为研究热点，因为ZnO实现室温铁磁性机理尚未明确，因此本论文就详细研究了两种具有代表性的过渡金属Fe、Mn掺杂的ZnO纳米线的性质 ...