作者: 魏名山,马朝臣 (北京理工大学车辆工程学院,北京,100081)
出处: 内燃机学报 1999 第2期
关键词: 柴油机;排气微粒;后处理装置;模糊评价
摘要: 由于对燃油经济性及温室效应的关注,在全球范围内,柴油车保有量持续上升.与此同时,柴油机的微粒排放引起了广泛的关注,各种微粒后处理装置层出不穷.如何正确、客观地评价这些后处理装置,对其研究、开发和选型都具有重要意义.本文提出了一种采用模糊评价理论综合评价微粒后处理装置的方法,并分别对某固定式柴油机和某 ...
作者: 彭治汉,欧育湘 (北京理工大学国家阻燃材料专业实验室)
出处: 精细化工 1999 第16卷 第1期 P20-38
关键词: 环状磷酸酯;磷酰亚胺;磷酰化;膨胀阻燃剂
摘要: 对以新戊二醇、三氯氧磷和对苯二胺为原料,在三乙胺和4-N,N-二甲胺基吡啶(DMAP)催化作用下合成1,4-二(5,5-二甲基-1,3-二氧杂己内磷酰亚胺基)苯(NBPAN)的反应进行了研究.讨论了DMAP对该反应的作用机制,合成收率达82.7%.并用元素分析、IR和 1 HNMR表征了产物的结构. ...
作者: 胡更开,韩棋,WengGJ (北京理工大学应用力学系;DepartmentofMechanicalandAerospaceEngineeringRutgersUniversity;NJ08903)
出处: 北京理工大学学报 1999 第5期 P554-560
关键词: 微结构分布;细观力学;弹塑性变形
摘要: 目的 分析夹杂分布和取向对复合材料塑性性能的影响方法 用PCW(PonteCasteneda和Willis)的弹性细观力学模型及应力二阶矩割线模量法,给出分析复合材料微结构分布及取向对其塑性性能影响的一种模型结果 对所研究的SiCAl复合材料系统,计算结果表明颗粒分布对材料的塑性性能影响不大本文证明 ...
作者: 欧育湘,徐永江,刘利华,郑福平,王才,陈江涛 (北京理工大学化工与材料学院)
出处: 含能材料 1999 第4期 P152-155
关键词: 六苄基六氮杂异伍兹烷(HBIW);合成;醛胺缩合;六硝基六氮杂异伍兹烷(HNIW)
摘要: 实验比较了乙腈法与乙醇法合成六苄基六氮杂异伍兹烷的优劣.结果表明乙腈法在产品得率、质量、反应条件等方面均优于乙醇法.但乙腈属于中等毒性化学品,使用乙腈时必须采取可靠的防护措施.
作者: 李加荣 (北京理工大学化工与材料学院)
出处: 含能材料 1999 第1期 P11-15
关键词: 3-硝基-1`2`4-三唑酮-5(NTO);NTO盐;结构;爆炸性质
摘要: 概述了3硝基1,2,4三唑酮5(NTO)盐的制备方法、结构、性能和应用。
作者: 李眈,任丽香,龙腾 (北京理工大学电子工程系)
出处: 北京理工大学学报 1999 第1期 P68-73
关键词: 单脉冲雷达;目标航迹;视频信号模拟器
摘要: 目的研究并实现单脉冲雷达目标航迹实时视频信号模拟器.方法选择有代表性的操场形目标航迹,确定目标的时空关系;利用计算机产生各通道的目标数据,并在算法上避免误差积累;根据3通道单脉冲体制雷达的特点,采用设立时间标志的方法,解决不同通道数据更新频率不同的问题.结果与结论模拟器可以较精确地模拟所给定的航迹, ...
作者: 仝毅,陈鹏万,恽寿榕,黄风雷 (北京理工大学机电工程学院)
出处: 材料保护 1999 第6期 P32-33
关键词: 爆轰合成;超微金刚石;复合镀层;
摘要: 综述了超微金刚石(UFD)的爆轰合成原理和方法,介绍了UFD的特性及在复合镀层中的应用进展。
作者: 陈祥光,黄聪明 (北京理工大学化工与材料学院)
出处: 北京理工大学学报 1999 第1期 P53-58
关键词: 神经网络;BP算法;系统辨识;智能控制
摘要: 目的研究神经网络智能控制系统辨识模型的基本结构.方法分析了控制系统动态模型的输入、输出关系,依据模型等效的最优化原理和神经网络任意逼近有限不连续函数的性质,提出神经网络辨识模型的基本结构.结果该基本结构不仅适用于高阶线性系统,也适用于非线性及时变系统,可达到较高的辨识精度,保证了由此构成的神经网络控 ...
作者: 徐世英,冯长根,刘赵淼 (北京理工大学机电工程系)
出处: 北京理工大学学报 1999 第1期 P4-8
关键词: 多孔介质;二次分岔;扩充方程组;对称性
摘要: 目的进行了多孔介质中热对流二次分岔的数值分析.方法采用了扩展方程方法,此方法无需求解原动力学方程和辅助参数.结果得到了长宽比为1~2矩形区域内多孔介质中热对流二次分岔点的Rayleigh数及相应的流场和温度场分布.结论所给方法对确定二次分岔点是有效的.
作者: 林鸿溢 (北京理工大学电子工程系)
出处: 微电子学 1999 第6期 P385-389
关键词: 半导体材料;纳米材料;纳米电子学;纳米硅薄膜;量子功能器件
摘要: 纳米半导体硅(nc-Si:H)薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的,制备条件可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元:纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元,即晶态相和晶界相组成。纳米半导体硅薄膜对发展半导体器件,例如量子功能器件和薄膜敏感器件等,很有价值
已保存题录(0)