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邹炳锁

  • 职称:教授
  • 研究方向:纳米光子学材料与技术
  • 所属院系:物理学院  
  • 成果数量:66条,属于本单位的个人成果66条

条数据
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作者: 杨丹 (导师:邹炳锁,杨盛谊)

学位名称: 博士

出处: 北京理工大学物理学院 2015

关键词: 纳米复合薄膜;光电探测器;有机场效应晶体管;并五苯;量子点;聚3-己基噻吩(P3HT);“明/暗”电流比;响应度

摘要: 为适应信息社会的高速发展,光电子器件作为光通讯技术的核心正趋于“小型化”、“集成化”。在纳米科技的推动下,具有新奇特性的纳米结构和先进的纳米加工工艺被引入到光电子器件的研究和应用中以加速其发展,同时纳米光子学的出现进一步扩大了光电子技术的物理深度和应用范围。纳米复合薄膜光电探测器作为纳米结构光电子器 ...

作者: 杨高岭 (导师:邹炳锁,钟海政)

学位名称: 博士

出处: 北京理工大学 2015

关键词: 半导体纳米线;溶液法;掺杂;合金;发光机制;SLS

摘要: 自二十世纪八十年代以来,纳米科学逐渐发展成为一门跨领域、多学科交叉的前沿学科。作为一类经典的纳米材料体系,半导体纳米线因其一维结构所带来的独特偏振光学特性、低激光激发阈值、增强的压电特性等性质,一直倍受关注。半导体纳米线的制备方法可简单的分为气相法和液相法,与气相制备法相比,溶液法制备的半导体纳米线 ...

作者: 张文圣 (导师:邹炳锁)

学位名称: 硕士

出处: 北京理工大学物理学院 2015

关键词: 硫化镉纳米线;超晶格;光学性质;超长碳线;合成

摘要: CdS具有较好的光学特性与优异的光电转换特性,在光电器件领域具有重要的应用价值。本文通过化学气相沉积法合成了基于Sn元素的CdS超晶格纳米线,并采用元素mapping与EDS能谱分析,表明我们所生成的纳米线是由外层CdS壳层与内层间断性分布的Sn段组成的一种具有超晶格结构的纳米线。为了研究这种纳米线 ...

作者: 牛玉玮,柏泽龙,张峰,董宇平,杨健,邹炳锁,钟海政 (北京理工大学材料学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室;北京理工大学光电学院;北京理工大学物理学院微纳中心)

出处: 首届国际微纳米体系发光及光电性质学术会议 2014

会议录: 首届国际微纳米体系发光及光电性质学术会议论文集

摘要: 温度作为一个重要参数,在日常生活和科学研究中具有很大的重要性.具有温度响应特性的荧光探针除了可以进行常规测温,还可用于探测生物体内、强电磁场下以及快速移动物体的温度,弥补了温度计和热电偶使用的不足.目前常用的荧光探针主要为有机染料、稀土材料、荧光量子点等\'(1)\',近期我们发现有机-无机杂化钙钛 ...

作者: 王恺 (导师:邹炳锁)

学位名称: 硕士

出处: 北京理工大学理学院 2014

关键词: 氧化锌;过渡金属;掺杂;纳米线;拉曼;光致发光;声子振动模式

摘要: ZnO是重要的II-VI族半导体材料,具有较大的禁带宽度和激子束缚能,是实现紫外光电器件、发光二极管以及激光器的最具潜力的半导体材料之一。近几年来,过渡金属掺杂的ZnO成为研究热点,因为ZnO实现室温铁磁性机理尚未明确,因此本论文就详细研究了两种具有代表性的过渡金属Fe、Mn掺杂的ZnO纳米线的性质 ...

作者: 郭鹏飞 (导师:邹炳锁)

学位名称: 硕士

出处: 北京理工大学理学院 2014

关键词: 过渡金属元素;ZnSe;纳米结构;光学性质

摘要: ZnSe 是一种重要的二六族直接带隙半导体材料,具有较大的禁带宽度和激子束缚能。 但由于纯 ZnSe 材料的发射光的波长固定,不能作为一种有效的可调谐的光源,而且本身量的结构缺陷导致的近带边发光微弱。 掺杂过渡金属或稀土金属可形成稀磁半导体材料,稀磁半导体的晶格常数和禁带宽度会随着掺入离子浓度的不同 ...

作者: 牛玉玮 (导师:邹炳锁,钟海政)

学位名称: 硕士

出处: 北京理工大学材料学院 2014

关键词: 有机-无机杂化钙钛矿材料;激子发光;自组装;量子阱;荧光探针

摘要: 有机-无机杂化钙钛矿材料拥有天然的量子阱结构,激子束缚能较大,在室温下即可表现出激子发光,利用其结构和组分的灵活性,通过对有机-无机杂化钙钛矿的组分进行设计,可调控有机-无机杂化钙钛矿材料的激子发光性质。本论文开展了二维有机-无机杂化钙钛矿材料的合成与激子发光性质的研究。通过再沉淀法制备有机-无机杂 ...

作者: 卡姆龙 (导师:邹炳锁)

学位名称: 博士

出处: 北京理工大学 2014

关键词: CdS;半导体;过渡金属;VLS;光学性质;磁性

摘要: CdS是一类非常重要的II-VI半导体材料,由于其独特的性质可在太阳能电池、发光二极管、纳米激光、场效应晶体管、光电探测器、气体传感器、光开关等方面有重要应用。近期还发现硫化镉在稀磁半导体中也有非常显著的价值,尽管研究工作还不多。本文中,我用简单的CVD方法制备出来CdS和过渡金属离子(Mn(II) ...

作者: 赵辉 (导师:邹炳锁)

学位名称: 硕士

出处: 北京理工大学 2011

关键词: 纳米线;半导体;核壳结构;合金;光致发光

作者: 张春花 (导师:邹炳锁)

学位名称: 硕士

出处: 北京理工大学 2011

关键词: 硫化镉;化学气相沉积;微/纳米线阵列;光学性质

邹炳锁教授简介



邹炳锁,1965年1月出生,博士,北京理工大学物理学院和材料科学与工程学院教授。

1981年考入吉林大学化学系化学专业学习, 1991年于吉林大学化学系获理学博士学位。 1996-1999年出国访问研究,分别在国立新加坡大学、美国佐治亚理工学院开展纳米科技的研究工作。

多年主要从事纳米尺度功能材料的制备与表征、电子结构和各种物理性质, 纳米体系的激光光谱学研究;主要从事纳米光子学材料、器件及应用、近场光学、纳米激光器、光电转换与太阳能电池、光电探测与传感、纳米材料的生物辅助成像等方面的研究工作。所领导团队曾在一维纳米半导体合金结构中创下单芯片的受激发射波长调谐的世界纪录,论文受到十余国际国内科技网站的广泛介绍。 近年来主要开展自旋光子学材料、量子点材料、光电转换材料等和相关器件技术研究; 现已在国际知名学术刊物包括Nanolett、JACS、Small、PRB、APL、Nanotechnology等发表SCI论文300余篇,他引超过八千次。 2000年入选中科院“百人计划”。 2006年度教育部“长江学者奖励计划”特聘教授。